【TechWeb】2月20日音书，据外媒报说念，三星电子副会长兼联席CEO，肃穆存储芯片、晶圆代工等芯片业务的成就处理决策业务部门操纵全永鉉（Jun Young Hyun），在上周详访了英伟达的总部。

从外媒的报说念来看，全永鉉上周前去英伟达的总部，是有伏击的业务，他佩戴有他们矫正了想象的1b DRAM样品，1b DRAM将用于制造高带宽存储器（HBM）。

1b DRAM是第五代10nm制程工艺的DRAM，主若是用于制造HBM3E，三星电子前年谋划启动用1b DRAM制造高带宽存储器，但遭遇了良品率和过热的问题，英伟达也因此条目三星电子矫正他们1b DRAM的想象。全永鉉上周前去英伟达总部所佩戴的样品，恰是想象矫正后的后果。

外媒在报说念中提到，三星电子芯片业务部门的操纵切身向客户展示样品特地凄迷，但这也突显了他们对英伟达及HBM3E订单的爱好。全永鉉切身到英伟达总部，很可能照旧为了确保来自英伟达的订单。

在报说念中，外媒还提到，在1b DRAM出现良品率和过热的问题之后，三星电子曾谋划秉承1a DRAM，也便是1b DRAM的前一代，制造HBM3E，在HBM4上则是跳过1b DRAM，秉承1c DRAM，但英伟达照旧条目他们秉承1b DRAM制造HBM3E，三星电子方面也因此对1b DRAM的想象进行矫正，以克服所遭遇的问题。

HBM是英伟达为OpenAI、Meta、xAI等厂商供应的东说念主工智能芯片的伏击构成部分，较DRAM价钱更高，如果能获取英伟达的大单，就将大幅普及功绩。

与三星电子还在向英伟达提供样品、寻求获取订单不同，他们的竞争敌手SK海力士欧洲杯体育，仍是在向英伟达供应1b DRAM制造的HBM3E。（海蓝）

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